このセクションでは、Siスラブの表面へのC 2 H 4分子の表面吸着を計算するためのモデル作成と計算結果について説明します。
このセクションでは、Cの表面吸着を計算するためのモデル作成と計算結果について説明します。 2 H 4 Siスラブの表面上の分子。まず、Si 100 スラブと C を組み合わせたモデルの作成方法を説明します。 2 H 4。 SiスラブとCを選択した後、マルチマテリアル3Dエディターを使用して作成できます。 2 H 4。
構造の最適化にかかった時間と時間を示します。コンバージェンス閾値とミキシングパラメータは精度を高めるために設定されているので計算時間は少し長くなりますが、クラウド対応なのでリソースの心配はほとんどありません。
表2 計算時間と計算コスト
アイテム値計算時間 10 時間 18 分 28 秒 (3,7108 秒) 計算コスト $7.42
* 計算コストは、エンタープライズエクストラプランでセービングノードを使用した場合の料金です。
オリジナルソース: https://ctc-mi-solution.com/シリコン表面におけるエチレンの吸着/
